NTMD6P02R2G Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 8-Pin SOIC N T/R

Производитель:
ON SEMICONDUCTOR

Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Обновление информации по наличию и стоимости...

NTMD6P02R2G

Запросить

Для того, чтобы заказать NTMD6P02R2G напишите на zakaz@elruselement.ru или воспользуйтесь формой запроса.

Запасы: 2200 шт. Срок поставки: 15-20 дней  


Информация о доставке и оплате.

Описание

Drain Current (Max): 7.8 A Frequency (Max): Not Required MHz Gate-Source Voltage (Max): '±12(V) Output Power (Max): Not Required W Power Dissipation: 2(W) Mounting: Surface Mount Noise Figure: Not Required dB Drain-Source On-Res: 0.033(ohm) Operating Temp Range: -55C to 150C Package Type: SOIC N Packaging: Tape and Reel Pin Count: 8 Polarity: P Type: Power MOSFET Number of Elements: 2 Operating Temperature Classification: Military Channel Mode: Enhancement Drain Efficiency: Not Required % Drain-Source On-Volt: 20(V) Power Gain : Not Required dB Rad Hardened: No Continuous Drain Current: 7.8(A)

Характеристики

Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Описание
Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 8-Pin SOIC N T/R
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Техническая документация

x

Популярные товары

IRF520PBF

IRF520PBF

86,82 ₽

FDS8958A

FDS8958A

33,79 ₽

IRLS4030-7PPBF

IRLS4030-7PPBF

248,48 ₽

FDA24N40F

FDA24N40F

262,20 ₽

MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G

5,21 ₽



AlfaSystems GoPro GP261D21